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codice articolo del costruttore | CIGT201210UH2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201210UH2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201210UH2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UH2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201210UH2R2MNE-FT |
CIGW252012GM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER50SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM3R3MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX100-N3FG676I
Xilinx Inc.
5SGXEA5N3F40I4N
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP4CE75F29I7N
Intel
EP20K100EQC208-1X
Intel
EPF10K30EQC208-2X
Intel