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codice articolo del costruttore | CIH03Q1N1SNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH03Q1N1SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03Q |
CIH03Q1N1SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.1nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 420mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 24 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 10GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 (0603 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.013" (0.33mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N1SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03Q1N1SNC-FT |
CIGT201208EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel