casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIH03Q1N0SNC
codice articolo del costruttore | CIH03Q1N0SNC |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIH03Q1N0SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03Q |
CIH03Q1N0SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 490mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 24 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 10GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 (0603 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.013" (0.33mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N0SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03Q1N0SNC-FT |
CIGT201208EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel