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codice articolo del costruttore | CIH05T2N4SNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH05T2N4SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH05T |
CIH05T2N4SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.4nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH05T2N4SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH05T2N4SNC-FT |
CIH10T22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10TR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T27NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T47NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH10T1N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel