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codice articolo del costruttore | CIGW201610GLR68MLE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGW201610GLR68MLE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW201610GLR68MLE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 680nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.2A |
Corrente - Saturazione | 3.6A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 37 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GLR68MLE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGW201610GLR68MLE-FT |
CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR33MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel