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codice articolo del costruttore | CIG22H2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIG22H2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG22H |
CIG22H2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | 1.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 116 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22H2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG22H2R2MNE-FT |
CIH05Q3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q47NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q4N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q4N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q56NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q5N1SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q5N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation