casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIGW201610GL1R5MLE

| codice articolo del costruttore | CIGW201610GL1R5MLE |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-CIGW201610GL1R5MLE |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CIGW |
| CIGW201610GL1R5MLE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| genere | Wirewound |
| Materiale: core | Metal Composite |
| Induttanza | 1.5µH |
| Tolleranza | ±20% |
| Valutazione attuale | - |
| Corrente - Saturazione | - |
| Schermatura | Shielded |
| Resistenza DC (DCR) | - |
| Q @ Freq | - |
| Frequenza - Autorisonante | - |
| Giudizi | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
| Caratteristiche | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
| Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Altezza - Seduto (max) | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CIGW201610GL1R5MLE Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | CIGW201610GL1R5MLE-FT |

CIG22E4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22ER47MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22H1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22H1R5MAE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22H3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22H3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG22HR33MAE
Samsung Electro-Mechanics

XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.

AX500-FGG484
Microsemi Corporation

A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation

5SGXEA7N3F40I3LN
Intel

10CL025YE144C6G
Intel

XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.

XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.

A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation

A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation

LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation