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codice articolo del costruttore | CIGW201610GH2R2MLE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGW201610GH2R2MLE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW201610GH2R2MLE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.8A |
Corrente - Saturazione | 2.8A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 117 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GH2R2MLE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGW201610GH2R2MLE-FT |
CIG22E1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel