casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIGT201610UM1R0MNE
codice articolo del costruttore | CIGT201610UM1R0MNE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIGT201610UM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610UM1R0MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.1A |
Corrente - Saturazione | 3.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 57 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UM1R0MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201610UM1R0MNE-FT |
CIG22B1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR27MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel