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codice articolo del costruttore | CIGT201610UM1R0MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201610UM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610UM1R0MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.1A |
Corrente - Saturazione | 3.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 57 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UM1R0MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201610UM1R0MNE-FT |
CIG22B1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR27MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
LFE2-6SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF43I4
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation