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codice articolo del costruttore | CIG22BR27MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIG22BR27MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG22B |
CIG22BR27MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 270nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.8A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 47 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22BR27MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIG22BR27MNE-FT |
CIH05Q12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q15NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q1N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q1N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q27NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q2N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel