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codice articolo del costruttore | CIGT201608LMR47MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201608LMR47MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201608LMR47MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.3A |
Corrente - Saturazione | 3.8A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 41 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201608LMR47MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201608LMR47MNE-FT |
CIG22HR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22LR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation