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codice articolo del costruttore | CIGT201608LM1R0MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201608LM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201608LM1R0MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.3A |
Corrente - Saturazione | 2.8A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 72 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201608LM1R0MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201608LM1R0MNE-FT |
CIG22L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel