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codice articolo del costruttore | CIGT252010LM1R0MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT252010LM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252010LM1R0MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.1A |
Corrente - Saturazione | 4.2A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252010LM1R0MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT252010LM1R0MNE-FT |
CIH05T4N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T56NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T6N8JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05TR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T8N2JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel