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codice articolo del costruttore | CIGT201608EM1R5MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201608EM1R5MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201608EM1R5MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.1A |
Corrente - Saturazione | 2.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201608EM1R5MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201608EM1R5MNE-FT |
CIG22H2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation