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codice articolo del costruttore | CIGT201608EM1R0SNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201608EM1R0SNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201608EM1R0SNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201608EM1R0SNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201608EM1R0SNE-FT |
CIGT252008LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel