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codice articolo del costruttore | CIGT201608EM1R0SNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201608EM1R0SNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201608EM1R0SNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201608EM1R0SNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201608EM1R0SNE-FT |
CIGT252008LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
EP1C3T144I7N
Intel
LCMXO3LF-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
EP2AGX45DF25I5N
Intel
EP2AGX65DF25C5N
Intel
5SGXMA7K3F35C2N
Intel
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LFXP3C-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel
EP1K50QC208-1N
Intel