casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDBF0130
codice articolo del costruttore | CDBF0130 |
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Numero di parte futuro | FT-CDBF0130 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBF0130 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 440mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1005 (2512 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1005/SOD-323F |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBF0130 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDBF0130-FT |
C3D08060A
Cree/Wolfspeed
C3D08065A
Cree/Wolfspeed
C3D10065A
Cree/Wolfspeed
C3D12065A
Cree/Wolfspeed
C3D06065A
Cree/Wolfspeed
CVFD20065A
Cree/Wolfspeed
C3D04065A
Cree/Wolfspeed
C3D03060A
Cree/Wolfspeed
C4D15120A
Cree/Wolfspeed
C3D16065A
Cree/Wolfspeed
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel