casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / C3D08065A
codice articolo del costruttore | C3D08065A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-C3D08065A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C3D08065A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 24A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 8A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 441pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3D08065A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3D08065A-FT |
1N4001L-T
Diodes Incorporated
1N4002GL-T
Diodes Incorporated
1N4002L-T
Diodes Incorporated
1N4003GL-T
Diodes Incorporated
1N4003L-T
Diodes Incorporated
1N4004GL-T
Diodes Incorporated
1N4004L-T
Diodes Incorporated
1N4005GL-T
Diodes Incorporated
1N4005L-T
Diodes Incorporated
1N4006GL-T
Diodes Incorporated
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel