casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / CBT25J1M0
codice articolo del costruttore | CBT25J1M0 |
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Numero di parte futuro | FT-CBT25J1M0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CBT, Neohm |
CBT25J1M0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Carbon Composition |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | -700/ +400ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.094" Dia x 0.248" L (2.40mm x 6.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBT25J1M0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBT25J1M0-FT |
RR02J100RTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J100RTB
TE Connectivity Passive Product
ROX1G100R
TE Connectivity Passive Product
ROX2SG100R
TE Connectivity Passive Product
CCR2100RKB
TE Connectivity Passive Product
CCR100RKT
TE Connectivity Passive Product
CCR1100RKTB
TE Connectivity Passive Product
ROX1SF100R
TE Connectivity Passive Product
CBT25J10R
TE Connectivity Passive Product
CBT50J10R
TE Connectivity Passive Product
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel