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codice articolo del costruttore | CB2012T470M |
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Numero di parte futuro | FT-CB2012T470M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2012T470M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 190mA |
Corrente - Saturazione | 90mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 4.81 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 11MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T470M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CB2012T470M-FT |
CKS21252R2M-T
Taiyo Yuden
HK212522NJ-T
Taiyo Yuden
HK212527NJ-T
Taiyo Yuden
HK21252N7S-T
Taiyo Yuden
LK2125R12K-T
Taiyo Yuden
CB2012T100KRV
Taiyo Yuden
CB2012T100MR
Taiyo Yuden
CB2012T101K
Taiyo Yuden
CB2012T2R2MV
Taiyo Yuden
CBC2012T220M
Taiyo Yuden
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel