casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / CB10JB3R30
codice articolo del costruttore | CB10JB3R30 |
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Numero di parte futuro | FT-CB10JB3R30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB10JB3R30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3.3 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.374" Square x 1.890" L (9.50mm x 48.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB10JB3R30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CB10JB3R30-FT |
HDM14JT4K30
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT4K70
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT4R30
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT4R70
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT510K
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT510R
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT51K0
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT51R0
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT560K
Stackpole Electronics Inc
HDM14JT560R
Stackpole Electronics Inc
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C9L
Intel
5SGSMD5H1F35C2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation