casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CAV93C66VE-GT3
codice articolo del costruttore | CAV93C66VE-GT3 |
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Numero di parte futuro | FT-CAV93C66VE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV93C66VE-GT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Frequenza di clock | 2MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV93C66VE-GT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAV93C66VE-GT3-FT |
RMLV0416EGSB-4S2#HA1
Renesas Electronics America
RMLV0808BGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
M68AW256ML70ND6T
STMicroelectronics
M68AW512ML70ND6
STMicroelectronics
R1LV0216BSB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel