casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M68AW512ML70ND6
codice articolo del costruttore | M68AW512ML70ND6 |
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Numero di parte futuro | FT-M68AW512ML70ND6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M68AW512ML70ND6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M68AW512ML70ND6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M68AW512ML70ND6-FT |
IDT71V416S15PHI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416S15PHI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL10PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL10PH8
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IDT71V416VL12PH
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IDT71V416VL12PH8
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IDT71V416VL12PHI
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IDT71V416VL12PHI8
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IDT71V416VL15PH
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