casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CAV24C256WE-GT3
codice articolo del costruttore | CAV24C256WE-GT3 |
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Numero di parte futuro | FT-CAV24C256WE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV24C256WE-GT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 400ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV24C256WE-GT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAV24C256WE-GT3-FT |
R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D1
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel