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codice articolo del costruttore | CAL45VB102K |
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Numero di parte futuro | FT-CAL45VB102K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CA, L Type |
CAL45VB102K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 170mA |
Corrente - Saturazione | 190mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 13.2 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 252kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.173" Dia x 0.315" L (4.40mm x 8.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAL45VB102K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAL45VB102K-FT |
BX6150NLT
Pulse Electronics Network
BX8027W
Pulse Electronics Network
BX8027WANL
Pulse Electronics Network
BX8027WANLT
Pulse Electronics Network
BX8027WT
Pulse Electronics Network
BX8085
Pulse Electronics Network
BX8109
Pulse Electronics Network
BX8109T
Pulse Electronics Network
BX8115T
Pulse Electronics Network
BX8118T
Pulse Electronics Network
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel