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codice articolo del costruttore | CAL45VB102K |
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Numero di parte futuro | FT-CAL45VB102K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CA, L Type |
CAL45VB102K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 170mA |
Corrente - Saturazione | 190mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 13.2 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 252kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.173" Dia x 0.315" L (4.40mm x 8.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAL45VB102K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAL45VB102K-FT |
BX6150NLT
Pulse Electronics Network
BX8027W
Pulse Electronics Network
BX8027WANL
Pulse Electronics Network
BX8027WANLT
Pulse Electronics Network
BX8027WT
Pulse Electronics Network
BX8085
Pulse Electronics Network
BX8109
Pulse Electronics Network
BX8109T
Pulse Electronics Network
BX8115T
Pulse Electronics Network
BX8118T
Pulse Electronics Network
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel