casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / C3A10RJT
codice articolo del costruttore | C3A10RJT |
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Numero di parte futuro | FT-C3A10RJT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C, CGS |
C3A10RJT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.224" Dia x 0.512" L (5.70mm x 13.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3A10RJT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3A10RJT-FT |
C1033RJL
TE Connectivity Passive Product
C1036RJL
TE Connectivity Passive Product
C1039RJL
TE Connectivity Passive Product
C103K3JL
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C10470RJL
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C1047KJL
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C1047RJL
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C104R7JL
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C1091RJL
TE Connectivity Passive Product
C10R47JL
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AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel