casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX384C9V1-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX384C9V1-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX384C9V1-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C9V1-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 6V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C9V1-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX384C9V1-HE3-18-FT |
BZX384C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2C35U484C6N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
LFE2M50SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation