casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZG05C4V7-M3-08
codice articolo del costruttore | BZG05C4V7-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZG05C4V7-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BZG05C-M |
BZG05C4V7-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolleranza | ±6.38% |
Potenza - Max | 1.25W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 13 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZG05C4V7-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZG05C4V7-M3-08-FT |
MMBZ5264B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5264C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel