casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C22P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27C22P-M3-08 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C22P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C22P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 16V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C22P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C22P-M3-08-FT |
BZD27B82P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B82P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B82P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B82P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B82P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20AF256I8N
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC7A75T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation