casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C200P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27C200P-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C200P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C200P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 500 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C200P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C200P-HE3-18-FT |
BZD27B75P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B75P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B75P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B75P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B7V5P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B7V5P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B7V5P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B7V5P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B7V5P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B7V5P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4VFX140-11FF1517C
Xilinx Inc.
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL050-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG256
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-3
Intel
EPF10K100AFC484-3
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
5SGXEA5K3F35I4N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35C5N
Intel