casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C150P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27C150P-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C150P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C150P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 150V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 300 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 110V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C150P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C150P-HE3-18-FT |
BZD27B5V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B62P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B62P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B62P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B62P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B62P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B62P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B68P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel