casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C47P-M-08
codice articolo del costruttore | BZD27C47P-M-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C47P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C47P-M-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 47V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 45 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 36V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C47P-M-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C47P-M-08-FT |
BZD27C68P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX256-PTQG100
Microsemi Corporation
XCKU035-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1PQG208M
Microsemi Corporation
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
XC4008E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel