casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C43P-M-08
codice articolo del costruttore | BZD27C43P-M-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C43P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C43P-M-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 43V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 45 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 33V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C43P-M-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C43P-M-08-FT |
BZD27C68P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-1QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
EP4S100G3F45I2N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760I
Xilinx Inc.
XC5VLX330T-2FF1738C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
5AGXBB5D4F35C4N
Intel
EPF10K50SQC208-1X
Intel