casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C36P-M-08
codice articolo del costruttore | BZD27C36P-M-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C36P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C36P-M-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 36V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 40 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 27V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C36P-M-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C36P-M-08-FT |
BZD27C47P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE5U-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6E22C9LN
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7VX485T-2FF1157I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
10AX115U3F45I2SGE2
Intel
EP20K400ERC240-1
Intel