casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C160P-M-18
codice articolo del costruttore | BZD27C160P-M-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C160P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C160P-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 160V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 350 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 120V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C160P-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C160P-M-18-FT |
BZD27C51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6024ATC144-2
Intel
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
XC5VLX110-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
EP2AGX95EF35C5ES
Intel
10CX085YF672I5G
Intel
EPF10K30EQC208-1X
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel