casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C56P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27C56P-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C56P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C56P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 56V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 43V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C56P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C56P-HE3-18-FT |
BZD27C160P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C16P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C16P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C16P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C16P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C180P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C180P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel