casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C15P-M-18
codice articolo del costruttore | BZD27C15P-M-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C15P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C15P-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 15V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 11V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C15P-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C15P-M-18-FT |
BZD27C51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel