casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B47P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B47P-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27B47P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B47P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 47V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 45 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 36V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B47P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B47P-HE3-18-FT |
BZD27B150P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B150P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B150P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B15P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B15P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B15P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B15P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B15P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B15P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B160P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-09VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
10CX105YU484E5G
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F31C6N
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel