casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B150P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27B150P-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B150P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B150P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 150V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 300 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 110V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B150P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B150P-M3-08-FT |
BZD17C27P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C27P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C30P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C30P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C33P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C33P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C36P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C36P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C39P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C39P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC4052XL-2HQ304C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M08DAU324I7G
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel
10AX016E3F29E1HG
Intel
EP20K300EQC240-2X
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel