casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B3V9P-HE3-08
codice articolo del costruttore | BZD27B3V9P-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B3V9P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B3V9P-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B3V9P-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B3V9P-HE3-08-FT |
BZD27B130P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B150P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel