casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B13P-HE3-08
codice articolo del costruttore | BZD27B13P-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B13P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B13P-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 10V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B13P-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B13P-HE3-08-FT |
BZD17C18P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C200P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C200P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C20P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C20P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C22P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C22P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C24P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C27P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C27P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL005-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256A
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
EP2C20F256C7
Intel
5SGSMD4E2H29I3LN
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
XC6VLX240T-2FF1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation