casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B3V9P-E3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B3V9P-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B3V9P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B3V9P-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B3V9P-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B3V9P-E3-18-FT |
BZD27B130P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1AFS1500-FG256I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7M15C8N
Intel
XA6SLX16-2CSG225Q
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9C7F23C8N
Intel