casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B3V6P-E3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B3V6P-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B3V6P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B3V6P-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B3V6P-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B3V6P-E3-18-FT |
BZD27B12P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B12P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B12P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B130P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B13P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel