casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B12P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B12P-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27B12P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B12P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B12P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B12P-HE3-18-FT |
BZD17C13P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C150P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C150P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C15P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C160P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C160P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C16P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C16P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C180P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C180P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
XCKU095-2FFVC1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
5SGXEA3K2F35C2L
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-CS196I
Microsemi Corporation
LFXP10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation