casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B24P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B24P-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B24P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B24P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 24V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 18V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B24P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B24P-HE3-18-FT |
BZD17C9V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
XC2S50-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
EP3CLS70U484C7
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGSMD8K3F40I3
Intel
5SGXEA7K2F35I3N
Intel
LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel