casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B100P-M3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B100P-M3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B100P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B100P-M3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 100V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B100P-M3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B100P-M3-18-FT |
BZD27C33P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C75P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C7V5P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C8V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel