casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B22P-E3-08
codice articolo del costruttore | BZD27B22P-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B22P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B22P-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 16V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B22P-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B22P-E3-08-FT |
BZD17C7V5P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C82P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C82P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C8V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C8V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C91P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C91P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C9V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C9V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation