casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B18P-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B18P-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B18P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B18P-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 13V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B18P-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B18P-HE3-18-FT |
BZD17C5V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C5V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C62P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C62P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C68P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V8P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ETC144-2N
Intel
XC3S400A-4FT256C
Xilinx Inc.
M7AFS600-FG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C5
Intel
EPF10K30AQC240-1N
Intel