casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C5V6P-E3-18
codice articolo del costruttore | BZD17C5V6P-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C5V6P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C5V6P-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C5V6P-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C5V6P-E3-18-FT |
BZD27C27P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B36P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C16P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C7V5P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
EPF10K10TI144-4N
Intel
XC5204-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208M
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQ100
Microsemi Corporation
AT40K10-2RQC
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel