casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B18P-E3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B18P-E3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27B18P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B18P-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 13V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B18P-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B18P-E3-18-FT |
BZD17C5V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C5V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C5V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C5V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C62P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C62P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C68P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel