casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B16P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27B16P-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B16P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B16P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 12V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B16P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B16P-M3-08-FT |
MMSZ5264B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TI144-2
Intel
XC4062XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3N
Intel
5SGXEA7N1F40I2N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX485T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35C5N
Intel